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國立中央大學 化學工程與材料工程研究所 鄭紹良所指導 曾昱中的 奈米尺度鎳金屬點陣與矽碳單晶基材之界面反應研究及規則有序矽單晶奈米結構陣列之製備 （2010），提出Laser etching vs las關鍵因素是什麼，來自於矽碳基材、奈米環、鎳矽化物、奈米點陣。
奈米尺度鎳金屬點陣與矽碳單晶基材之界面反應研究及規則有序矽單晶奈米結構陣列之製備
為了解決Laser etching vs las 的問題，作者曾昱中 這樣論述：
本研究中分別利用自然滴製法與LB-like法在矽碳及矽晶基材上製備出大面積排列規則的PS球陣列結構作為模板(Template)。 在蒸鍍Ni金屬與移除PS球模板後，可製備出大面積規則排列且尺寸均一之鎳金屬奈米點陣列。鎳金屬點退火至350 ℃時，低電阻相NiSi相已完全形成於(001)Si0.976:C0.024基材上。而當鎳金屬點退火至500 ℃時，鎳矽化物奈米點仍主要為低電阻之NiSi相，需提高退火溫度至600 ℃才會完全轉換成高電阻NiSi2相。此結果證實碳的摻雜可增加低電阻NiSi點陣之熱穩定性。而當鎳金屬奈米點陣之退火熱處理溫度升高至900 ℃時，則會發現大量奈米線結構的產生，此奈
米線結構主要是由矽、氧成分所組成之非晶質SiOX奈米線，其大小約為14-20 nm，並推測其生長為固-液-固(Solid-Liquid-Solid, SLS)之成長機制。 在製備大面積規則排列矽單晶奈米環結構之研究方面，本研究也首度結合奈米球模板與多重選擇性化學濕式蝕刻技術，成功在矽晶基材上製備出環高與環寬可控制之規則有序矽單晶奈米環狀結構陣列。