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國立中央大學 高階主管企管碩士班 劉錦龍所指導 林祐詳的 台灣矽晶圓材料製造商業模式探討─以W公司為例 （2016），提出環球晶 大陸 廠關鍵因素是什麼，來自於半導體、矽晶圓、商業模式圖。
而第二篇論文中華科技大學 電子工程研究所碩士班 洪正聰所指導 林有德的 第三代半導體材料碳化矽發展趨勢研究 （2014），提出因為有 碳化矽、PVT 長晶法、電動車、車用功率元件的重點而找出了 環球晶 大陸 廠的解答。
環球晶 大陸 廠進入發燒排行的影片
半導體、IC設計和封測等上游電子類股扮演反彈要角，華亞科 (3474) 宣布與台灣美光半導體簽署框架協議進行股份轉換交易，未來華亞科轉成台灣美光子公司，到時華亞科將下市，華亞科受到這項消息激勵，股價一開盤就強鎖漲停25.3元到收盤，成交7081張，委買張數高達320萬張椅上。南亞科(2408)股價跟著漲停，連帶南亞(1303)漲幅亦超過2%。直接跳空鎖漲停到終場的還有矽品 (2325) ，由於大陸紫光集團參與矽品私募，可能持股高達24.9%成為最大股東，但日月光 (2311) 又宣布以每股55元全數現金收購矽品股權，激勵矽品以50.1元一價漲停到底，委掛單量超過3萬張，加計盤後成交量總共3萬0553張。觸控晶片廠義隆電 (2458) 受到IC設計龍頭聯發科 (2454) 的買盤帶動，加上近期又將發表新虛擬實境(VR)相關新產品，股價表現亮眼，在買盤追捧下開高走高，收盤大漲超過7%。宏碁（2353）由於第3季業績不如預期，導致股價出現多個交易日下修，還一度上演票面價格保衛戰；但昨天搭著PC類股反攻的順風車，加上有新品上市的好消息傳出，以強漲8.65％收在11.30元，三大法人當中又以外資最挺，買超1,811張。太陽能和生技股(TSE31)也紅光滿面；生技族群短線回檔整理後，多頭指標浩鼎 (4174) 、中裕 (4147) 分別大漲7.54%和5.41%的帶動下，多頭迅速歸隊，推升上市生技指數漲幅大約2%，持續吸金。大江(8436)攻堅漲停，南光（1752）隨著傳統旺季來臨，營運表現亮麗，單月營業額年成長都從1成起跳，預期單季營收將重新挑戰新高，帶動年度營收年增率力拚兩成，EPS可望達2元新高，激勵昨日股價氣勢如虹，拉出45.85元的漲停板價，成交量也放大至5,057張。而大陽能相關的中美晶(5483)、茂迪(6244)、合晶(6182)均帶量大漲，至於弱勢指標，由於蘋果iPhone 6S銷售量遭到下修，銷量有可能陷入有始以來首見的年減危機，受到此利空影響，股王大立光 (3008) 昨天再遭逢賣壓，股價開高走低，終場下跌45元，以2150元作收，創下去年11月20日以來新低，在大立光股價破底下，蘋果概念股也表現不佳走勢疲弱。目標價被外資同步調降的鴻海 (2317) 、可成 (2474) 、F-臻鼎 (4958) ，以及砷化鎵的宏捷科 (8086) 以及全新 (2455) 都同步收低。iPhone主力代工廠鴻海80元整數關卡面臨挑戰，昨天收盤價創下去年元月9號以來的新低價，相較於和碩(4938)還逆勢上漲2％以76.6元作收，彼此的差距已縮小至3.4元，代工股王寶座爭奪戰一觸即發。焦點股F-波力（代號8467的波力環球）昨日以第50家返台掛牌F股上市。由於碳纖維冰上曲棍球桿品牌Bauer提前至第4季回補中高階產品，造就第4季淡季不淡熱度可延續至明年首季，波力預估，明年營運會優於今年，可惜外資不捧場，股價呈現開高走低以下跌8.64%作收。
非電子股也溫和上漲，漲幅大都在1%之下；僅營建(TSE25)、金融(TSE28)、航運類股(TSE26)收黑。華研（8446）近幾個月每月營收都有0.96～0.98億元，頻頻向億元叩關，法人估今年營收有機會突破10億元，創歷史新高。股價昨日也強勢攻頂，大漲11.5元，收在漲停板127元。
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台灣矽晶圓材料製造商業模式探討─以W公司為例
為了解決環球晶 大陸 廠 的問題，作者林祐詳 這樣論述：
隨著中國大陸在全力扶植本土的產業，使得紅色供應鏈海嘯勢力不斷增長，在發展半導體產業的企圖心更是明顯；半導體產業引進台灣已經有40年了，台灣已經建構了完整的半導體產業鏈從上游的IC設計、中游的IC製造與下游的IC封測，還有相關的材料供應產業，專業分工模式獨步全球，台灣不論在人才、技術、產業聚落都是名列前茅的；對於中國的語言及文化上差異較小，面對著巨大的磁吸效應，台灣的企業如何因應都考驗著企業經營團隊的發展策略。本研究目的在於探討個案公司之商業模式與獲利方式，並與台灣第一大矽晶圓製造商環球晶圓現階段的商業模式進行分析比較，透過「商業模式圖」的九項要素剖析，可以清楚了解企業間不同的營運策略與獲利模
式，進而比較個案公司與環球晶圓的差異；一來可以了解目前個案公司的目前的營運狀況與發展策略方向，二來可以藉由比較商業模式圖的差異評估個案公司之競爭優勢並提供改善策略建議。商業模式圖是了解台灣矽晶圓製造廠商獲利方式的途徑之一，可以了解台灣矽晶圓廠商的目前競爭優勢與現階段所遇到的瓶頸，也可以了解企業過去經營的方向的正確性，以達成降低營運風險與拓展矽晶圓產業發展機會。對於未來想要投入矽晶圓材料產業的人才，能經由本研究了解矽晶圓材料產業的生產與商業模式。
第三代半導體材料碳化矽發展趨勢研究
為了解決環球晶 大陸 廠 的問題，作者林有德 這樣論述：
隨著工業的成長導致的全球暖化問題日益嚴重，市場上對於耐高電壓，高頻切換以及耐高溫環境的功率元件需求越來越高，然而這些特性要求卻是目前作為半導體元件主要材料的矽所無法勝任的。因而，具備了寬能隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場，以及高導熱特性的第三代半導體材料碳化矽(SiC)，在上述的需求中成為了替代"矽"在功率元件上的解決方案。因此本文對於碳化矽的特性及市場應用給予了解並分析，並對於碳化矽的未來發展及其應用方向給予建議。本論文從碳化矽的相關發展歷史，物理及化學特性，電學特性，物理氣相傳輸(PVT)長晶法及薄膜磊晶技術等技術上的訊息給予介紹。在應用上則從碳化矽目前在工業上及半導體產業的應用，切入
到碳化矽功率元件在高電壓，高頻切換，高溫等性能上的優勢，並對這些優勢從產品應用及其未來發展趨勢給予探討，此外並對同樣是寬能隙的第三代半導體材料的氮化鎵(GaN)在車用功率元件上的應用與碳化矽進行比對。最後從台灣政府的產業發展策略的角度來探討碳化矽產品應用的機會，並對碳化矽從材料及產品應用上進行策略性分析，明確定位台灣在碳化矽的發展的方向。在權衡全球在綠色能源發展上，電動車(EV)及油電混和動力車(HEV)將會在未來成為市場的主力動力車種，而車用MOSFET及IGBT功率元件的需求，正是碳化矽足以發揮其材料優勢的地方。最後，本文提出以台灣在半導體產業累計的實力及製程能力，產業界及學術界更適合發展
以異質磊晶技術在矽基材上生長出碳化矽薄膜晶體，並應該以此基礎投入車用功率元件及電源模組的研究與發展，以中國大陸電動車市場作為台灣在碳化矽功率元件發展的出海口。