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逢甲大學 材料科學與工程學系 陳錦山所指導 王韋程的 孔隙介電層上之全程無電鍍鈷合金包覆銅導線研製 （2016），提出真空度換算micron關鍵因素是什麼，來自於孔隙介電層、自組裝單層、無電鍍、阻障層、銅導線、包覆層。

而第二篇論文國立臺北科技大學 能源與冷凍空調工程系碩士班 胡石政所指導 夏育哲的 透過潔淨乾燥空氣去除極紫外線光罩傳送盒內的氣態分子污染物 （2013），提出因為有 真空技術、潔淨乾燥空氣充填、EUV Pod、氣態分子污染物(AMC)的重點而找出了 真空度換算micron的解答。

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接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了真空度換算micron，大家也想知道這些：

孔隙介電層上之全程無電鍍鈷合金包覆銅導線研製

為了解決真空度換算micron的問題，作者王韋程 這樣論述：

現今積體電路元件尺度隨著半導體科技的進步而不斷微型化，故大幅提升元件內部密度及晶片性能是勢在必行的。目前半導體產業發展以金屬導線線寬縮減以及堆疊層增加的技術為重心，為了避免導線線寬縮減及長度增加造成的電子訊號延遲（RC Delay）的問題，使用高導電率的銅導線以及低介電常數的介電層材料是備受關注與研究的。本論文採用奈米孔隙超低介電常數材料（Ultra Low k, ULK）─第三代黑鑽石（Black DiamondTM III, BD III）進行全程無電鍍銅導線的研製，利用下列技術：（1）表面羥基化改質、（2）自組裝單層（Self-Assembled Monolayer, SAM）披覆、（

3）SAM表面官能基化與去質子化改質、（4）催化晶種固定、（5）無電鍍鈷合金阻障層沉積、（6）無電鍍銅導線填充，以及（7）無電鍍鈷合金包覆層析鍍將銅導線製作於介電層上。首先透過介電特性（J-E、C-V）量測BD III表面經由SC-1化學溶液羥基化之漏電流及介電常數（k值）的變化，再由衰減式全反射傅立葉轉換紅外線光譜術（ATR-FTIR）評估BD III表面鍵結的變化以及羥基化效果，由分析結果得知：短秒數（10秒）的SC-1溶液改質不但對BD III能達到羥基化效果，亦不會造成嚴重的損害。接著以上述羥基化條件後在BD III上進行十八烷基三氯矽烷自組裝單層（OTS-SAM）的披覆，生長完畢之表

面呈現極疏水特性，經由輕微且短秒數真空電漿輻照的親水化處理，搭配SC-1化學溶液的去質子化效果，使表面呈現負電位而吸引金屬離子，並將金屬離子還原成催化晶種顆粒固定在OTS-SAM上，以利後續無電鍍鈷合金阻障層的沉積。藉由鈷合金的自身催化效果，能夠輕易的以無電鍍方式填充銅導線。為了增加銅導線之可靠度，本研究採取無電鍍同質性金屬做為包覆層，亦即於銅導線上析鍍鈷合金包覆層。透過鈷合金鍍液中添加強還原劑，使鈷合金包覆層可以於銅導線上析出，達到完全包覆的效果。最後，以一固定電流應力分別施加於未包覆及有包覆鈷合金包覆層之銅導線上，量測其可靠度之差異。由量測結果證實，鈷合金包覆層確實可以延長銅的電致遷移壽命

，大幅增加銅導線的可靠度。

透過潔淨乾燥空氣去除極紫外線光罩傳送盒內的氣態分子污染物

為了解決真空度換算micron的問題，作者夏育哲 這樣論述：

隨著集成電路飛速的發展，傳統光學的193nm浸潤式搭配雙重曝光技術，讓產業得以延伸到32nm~22nm製程，但發展到22nm製程以下採用多重曝光技術，製程難度會大幅增加，間接使生產成本大增。極短紫外光 (EUV) 波長可達到13.5nm，被視為延續moore‘s law(摩爾定理)最有效的方法。極短紫外光與傳統曝光的差異是，所有的設計都是採用反射式鏡片，但目前的問題是微影機台曝光功率和無缺陷光罩。無缺陷光罩的可用性是一個問題，微影機台曝光功率則會影響到晶圓量產的速度。機台的曝光功率會影響到成本效益，EUV微影機台本體的消耗功率約在350千瓦[26]，由於二氧化碳雷射產生極短紫外光，會耗去非常

多的能量，真正利用到的能量很少，ASML的EUV微影機台可用功率已經達到60W，必須要將功率提高到250W，每小時生產100片晶圓才能符合效益。由於所有物直接會吸收極紫外光輻射(包括空氣)，無法採用傳統的防塵薄膜來防護微粒和化學汙染物，勢必需要一個特殊的容器來存放、運輸，防止光罩受到外界汙染。新的EUV Pod (EUV光罩盒)是採用雙層盒設計，保護方式主要是利用進氣和出氣口的濾片和內外盒的間隔來做汙染物的隔離，但已經進入到EUV Pod的汙染物仍需要透過外力來清除。本實驗是藉由在光罩盒中放甲苯、氨比較充填潔淨乾燥空氣和抽真空的移除效果。充填條件分為，兩進兩出、兩進一出與一進一出，SEMI E

152-0709在2009年有規範兩個進氣口，增加了兩個通氣口做為預留用，但沒有明確規定用途。因為實驗架構是經由出氣口量測盒內汙染物之濃度，故選用兩進兩出、兩進一出來比較，一進一出是驗證文獻中CFD模擬進氣條件不同去除汙染物的優劣，經由實驗比較後，發現光罩盒有洩漏情形下，兩進兩出、兩進一出去除汙染物至原濃度5%的時間並無差別，一進一出移除效果比兩進兩出來的差。在氣態分子汙染物去除部分，甲苯容易排除；氨則是易殘留在光罩盒中。抽真空與充填CDA比較後發現，CDA是充填流量越高，去除效果越佳。真空腔體和光罩盒內容積比在51：1下，抽至15.9 torr所花的時間為兩分三十秒，模擬一個長、寬、高比光罩

盒多五公分的真空腔體進行推算，抽真空能在短時間內去除大量的氣態分子汙染物。

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