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這兩本書分別來自碁峰 和博碩所出版 。
國立陽明交通大學 電機資訊國際學程 白田理一郎所指導 羅茜妮的 寫入電壓及寫入/抹除過程的時間延遲對元件可靠度影響之研究 （2021），提出記憶體可以8+16嗎關鍵因素是什麼，來自於跨導、NAND 快閃記憶、可靠度。
而第二篇論文國立陽明交通大學 材料科學與工程學系所 曾院介所指導 余家賢的 三端自旋軌道磁矩記憶體讀寫特性之研究 （2021），提出因為有 自旋軌道磁矩、磁性隨機存取記憶體、三端讀取及寫入的重點而找出了 記憶體可以8+16嗎的解答。
實戰Linux系統數位鑑識
為了解決記憶體可以8+16嗎 的問題，作者BruceNikkel 這樣論述：
這是一本深入探討如何分析遭受破壞之Linux系統的書籍。你可以藉由本書瞭解如何鑑識Linux桌面、伺服器與物聯網裝置上的數位證據，並在犯罪或安全事件發生後重建事件的時間線。 在對Linux操作系統進行概述之後，你將學習如何分析儲存、火力系統和安裝的軟體，以及各種發行版的軟體套件系統。你將研究系統日誌、systemd日誌、核心和稽核日誌，以及守護程序和應用程序日誌。此外，你將檢查網路架構，包括接口、位址、網路管理員、DNS、無線裝置、VPN、防火牆和Proxy設定。 ．如何鑑識時間、地點、語言與鍵盤的設定，以及時間軸與地理位置 ．重構Linux的開機過程，從系統
啟動與核心初始化一直到登入畫面 ．分析分割表、卷冊管理、檔案系統、目錄結構、已安裝軟體與與網路設定 ．對電源、溫度和物理環境，以及關機、重新開機和當機進行歷史分析 - 調查用戶登錄會話，並識別連結周邊裝置痕跡，包括外接硬碟、印表機等 這本綜合指南是專為需要理解Linux的調查人員所編寫的。從這裡開始你的數位鑑證之旅。
寫入電壓及寫入/抹除過程的時間延遲對元件可靠度影響之研究
為了解決記憶體可以8+16嗎 的問題，作者羅茜妮 這樣論述：
NAND快閃記憶體的可靠度會隨著連續寫入/抹除的次數增加，其行為可以在電流-電壓(I_D V_G)特性曲線中觀察到。導通電流隨著多次循環過程而下降。主要原因是經過多次寫入/抹除後，穿隧電子破壞氧化層而形成電荷缺陷，因而影響元件的可靠性，還可能造成資料儲存失敗或記憶體元件擊穿。本論文主要探討各種不同的寫入/抹除條件在室溫下對元件可靠度的影響，如: 寫入電壓、寫入到抹除過程的時間延遲、及抹除到寫入過程的時間延遲。從量測實驗中可以觀察到在室溫下，氧化層退化越嚴重隨著寫入電壓的增加，因為電場增加導致更多電洞注入到氧化層中，進而產生更多的電荷缺陷和介面缺陷。另外，透過實驗觀察到在室溫下，抹除到寫入過程
(E/P)的時間延遲相較於寫入到抹除過程(P/E)的時間延遲對元件可靠度有較顯著的影響，且較長的寫入/抹除時間延遲會造成更嚴重的氧化層缺陷。主要是因為在較長的的寫入/抹除時間延遲有利於電洞在氧化層中漂移，在靠近矽通道的表面與電子複合，產生更多的電荷缺陷或介面缺陷。
今晚來點Web前端效能優化大補帖：一次搞定指標×工具×技巧，打造超高速網站(iThome鐵人賽系列書)
為了解決記憶體可以8+16嗎 的問題，作者莫力全KyleMo 這樣論述：
針對「前端效能優化」技巧最全面的中文書籍！ 精通前端基礎和優化技術，為你打造高效能網站！ 本書內容改編自第 13 屆 2021 iThome 鐵人賽，Modern Web 組冠軍網路系列文章──《今晚，我想來點 Web 前端效能優化大補帖！》。本書彙整了網頁前端應用效能優化的各種技巧，並以此為出發點，延伸至許多前端領域必備的知識。搭配簡易圖文和範例檔實作，讓你打造高效能的前端應用，解決網站效能痛點，提升速度與使用者體驗，增加網站曝光率與流量！ 四大重點 ▍小細節讓效能UP 除了依賴指標，還要從對的地方著手！ ▍前端開發必備心法 用對優化工具和技術
，提升效能&使用者體驗。 ▍深入技術原理 介紹前端技術原理，精通前端應用知識。 ▍提供完整範例檔 跟著實作範例學習，強化前端優化技能！ 精彩內容 ●認識 Core Web Vitals、RAIL Model、Lighthouse 等指標和效能監測工具，找出效能不足的地方。 ●建立前端必備知識：瀏覽器架構與渲染流程、網路與快取、JavaScript 記憶體管理機制，並學習正確的圖片資源、檔案壓縮與打包技術。 ●在不同情境下使用正確的優化技術：Code Splitting、動態載入、Tree Shaking、模組化技巧、Web Wor
kers 與 WebAssembly。 ●使用 DevTool 檢測網站效能、實作 Debounce 與 Throttle，達到網站節流。 目標讀者 ✦想要了解各種效能優化技巧的前端開發者 ✦想要更理解前端開發底層知識的開發者 ✦想了解前端開發近期發展與未來趨勢的讀者 專業推薦 「不論是剛入門的工程師或者資深工程師，都可以在這本書得到不同階段的啟發並且應用在實戰當中。」──── Verybuy Fashion 資深前端技術總監│Bingo Yang 「作者將業界所交流的各式各樣經驗，在這本書中一次性地統整起來，不僅僅只是教你效能優化的技巧，甚
至帶著你從歷史淵源、使用者面向、網路傳輸、渲染機制等不同角度來看效能。」──── 適才科技技術長 & Web 實驗室社群發起人│KK 「前端領域的發展十分迅速，很難得有作者用心將這些知識整理成書，帶領讀者從發現問題開始，了解背後原因與需求、實作練習，以及在每章節附上延伸學習的資源。」──── Design engineer@PicCollage│Lichin 「這本書深入淺出說明效能優化的各道題目，篇篇精彩有趣。除了從遠古到現今的技術解析和優劣比較，並且圖文並茂、附上實戰實例，讀起來讓人欲罷不能。」────《 打造高速網站從網站指標開始 》、技術部落格「Summer。桑
莫。夏天」作者│Summer
三端自旋軌道磁矩記憶體讀寫特性之研究
為了解決記憶體可以8+16嗎 的問題，作者余家賢 這樣論述：
本研究與工研院電光所合作，主要針對其開發之三端自旋軌道磁矩記憶體(three-terminal iSOT-MRAM)元件進行讀取、寫入及讀寫交互影響所產生的特性分析。針對讀取的方面，首先就自旋轉移磁矩記憶體(STT)端進行分析，採用改變磁場對元件的角度並比較於外加磁場下其翻轉行為是否與尺寸較小之STT-MRAM元件有所不同。將所得到之不同角度下的翻轉場作圖並與不同模型進行比對，發現小尺寸的STT-MRAM元件可以得到Stoner-Wohlfarth單磁疇翻轉的模型，而大尺寸的iSOT-MRAM元件則可得到Kondorsky多磁疇翻轉的模型。接著在寫入端則就SOT端進行分析，透過RVS、CVS
分析重金屬層可承受的極限電壓，並改變電流方向及大小，可看到其翻轉方向會隨自旋電流方向而有所變化。最後，由於此元件為three-terminal 的2T1R的設計，本研究就three-terminal這部分進行分析，同時在STT及SOT兩端通電，得到SOT隨著電流方向不同是可以和STT相互競爭或加乘的結論，元件約在STT端通過10mV下會產生反向翻轉，並分析得到SOT的貢獻是影響此效應的主要原因。而綜合上述實驗結果也可得出在次微米大小的元件中在STT端通過100mV進行讀取較為合適，且各尺寸的元件性質差異不大，若蝕刻技術允許可嘗試繼續微縮尺寸，以期使未來實際應用更為方便。