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淡江大學 航空太空工程學系碩士班 牛仰堯所指導 吳怡臻的 斜爆震引擎之初步模擬 （2021），提出16gb ram手機關鍵因素是什麼，來自於斜爆震引擎、數值計算、爆震波、單步化學反應模型。

而第二篇論文國立陽明交通大學 照明與能源光電研究所 楊斯博、鄭錫恩所指導 黃啟賡的 以原子層沉積法成長二氧化鈦薄膜隨機電阻式記憶體開關特性之研究 （2021），提出因為有 二氧化鈦、隨機電阻式記憶體、製程溫度、金屬材料、退火的重點而找出了 16gb ram手機的解答。

最後網站【分析】一部手機最好有多少GB 記憶體？ - 流動日報則補充：手機 規格10 年來突飛猛進，特別是記憶體，目前iPhone 7 Plus 擁有3GB RAM ... 從以上的講法，就算手機有16GB RAM，手機效能也不會因此更好，究竟一部 ...

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了16gb ram手機，大家也想知道這些：

16gb ram手機進入發燒排行的影片

三星 Galaxy A42 5G 開箱評測實測 相機評價實際表現 日夜拍相機測試 性能跑分 充電速度 續航測試 遊戲發熱散熱表現溫度、評價、推薦、值不值得買。同步帶來 Snapdragon 750G vs 765G vs Exynos 980

Galaxy A42 5G 採用四鏡頭相機 4800 萬主鏡頭，支援夜間模式、 123 度超廣角鏡頭、微距鏡頭、景深輔助運算鏡頭，Galaxy A42 5G 支援 4K 30fps 錄影，本集將包含日拍、夜拍、錄影實測、跑步防手震，Galaxy A42 5G 搭載 6.6 吋 HD+ Super AMOLED 螢幕，音效上搭載單喇叭，效能上搭載 Snapdragon 750G + 6 GB 的 RAM，本集也將帶來 15W 充電速度實測 , 續航力測試 電力 電量測試 支援 NFC , 支援 5G ，邦尼本集帶來更完整的效能快充續航等超完整實機實際測評。

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邦尼找重點：

外觀設計

0:00 邦尼幫你 開場
00:28 外觀設計
00:55 Galaxy A42 5G 顏色
01:25 機身配置
01:40 盒裝配件

性能電力測試 Performance & Battery：

01:58 性能規格 Snapdragon 750G
02:05 Galaxy A42 5G 跑分
02:20 Snapdragon 750G vs 765G vs Exynos 980
03:01 續航 5000mAh
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03:28 充電測試
03:44 5G 通訊規格
04:00 5G 下載測試
04:57 光學螢幕下指紋辨識
05:00 深色模式
05:16 連結至 Windows / 平板接續通話
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相機實測 Camera Review：

07:00 相機規格
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07:42 日拍樣張
08:10 夜間模式
09:17 Super Steady 超穩定動態攝影
09:49 夜間縮時攝影
10:10 自拍鏡頭

影音娛樂 Display & Speakers：

10:30 螢幕規格 Super AMOLED
11:02 Dolby Atmos
11:13 總結

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斜爆震引擎之初步模擬

為了解決16gb ram手機的問題，作者吳怡臻 這樣論述：

本研究使用單步化學反應模型以模擬斜爆震波引擎 (ODWE) 之物理現象和系統性能。為了處理化學反應所引起的數值剛度，使用了時間算子分裂法。至於數值方法，採用ATM type 之 AUSMDV 方法以離散控制方程中的空間通量，而時間離散化則是使用二階 Runge-Kutta法。於本研究中，分別針對不同馬赫數、溫度、稀釋氣體、高超聲速斜面、網格分辨率、時間步長、3 維初步探討和斜爆震波引擎之燃燒室斜面角度執行數值模擬。在本研究中顯示，新型單步化學反應模型可以模擬出斜爆震波大部分的物理現象。此外，單步化學反應模型能快速地獲得結果，且斜爆震波所導致之三波點和三維效應皆能清楚地捕獲於本次數值方法，因此

本研究之模擬結果有利於斜爆震波引擎穩定性開發。

以原子層沉積法成長二氧化鈦薄膜隨機電阻式記憶體開關特性之研究

為了解決16gb ram手機的問題，作者黃啟賡 這樣論述：

本研究以二氧化鈦薄膜作爲隨機電阻式記憶體的主要研究材料製成Ni/TiO2/BE（Bottom Electrode）的三明治結構的隨機電阻式記憶體。藉由改變元件的底部電極材料、二氧化鈦薄膜的製程溫度與退火環境來研究電極材料、二氧化鈦的結晶程度與氧空位含量對元件開關的影響。并且通過電流電壓特性與薄膜微結構影像來分析元件的傳導機制與開關模型。 在對比鎳與金兩種不同氧活性的金屬材料作爲底部電極元件的開關特性，發現 Ni/TiO2/Au 結構的元件開關次數多于 Ni/TiO2/Ni 結構的元件。解決了Ni/TiO2/Ni 結構因底部電極在製程過程中氧化而產生的整流現象，并且有著更好的耐久度與可靠度。然

而通過提高二氧化鈦薄膜的製程溫度，讓二氧化鈦薄膜形成結晶能夠改善元件的耐久度、開關穩定度與開關效率。同樣發現結晶的二氧化鈦薄膜元件有著比非晶態的二氧化鈦薄膜元件更小的 Vset與 Vreset，優化了元件的能耗。 在對比無退火元件、氧氣環境退火元件與氮氣環境退火元件的開關特性，氧氣環境退火元件有著更高的薄膜電阻，更小的漏電流與更好的試片可開關率。但是存在比其他兩個元件較差的開關穩定性，更大的 Vforming、Vset與 Vreset，以及需要 Forming 的電極數目增加。這源於氧氣退火后，二氧化鈦薄膜中的氧空位減少導致的。氮氣退火后的元件能夠增加二氧化鈦薄膜中的氧空位，能夠有著與氧氣退火

相反的效果。通過分析以上試片的開關特性，並探討了元件的傳導機制與開關模型。不同於氮氣退火元件在高阻態下主要為跳躍傳導的傳導機制，其他元件在高阻態下的傳導機制為肖特基傳導，在低阻態下的傳導機制皆為歐姆傳導。在開關模型上，元件的開關是以氧空位導電細絲的氧化還原反應來控制的電阻變化。從穿透式電子顯微鏡的成像中可以看到在導電細絲上存在來自頂部電極與底部電極的金屬原子，隨著量測次數增加會使得開關厚度變小以及兩端的金屬細絲完全連接頂部電極與底部電極，使得元件完全短路。

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