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中華大學 機械工程學系 馬廣仁所指導 張振豐的 掃描式光學顯微鏡系統失效結構與失效分析 （2017），提出InGaAs OBIRCH關鍵因素是什麼，來自於失效分析、產品良率、信賴度、製造過程。
而第二篇論文國立交通大學 工學院半導體材料與製程設備學程 吳耀銓所指導 穆劍龍的 VLSI漏電區域的定位與解析 （2016），提出因為有 失效分析、電性分析、漏電的重點而找出了 InGaAs OBIRCH的解答。
掃描式光學顯微鏡系統失效結構與失效分析
為了解決InGaAs OBIRCH 的問題，作者張振豐 這樣論述：
失效分析是IC與面板在設計、製造和包裝中非常重要的步驟之一。在製造的過程中，因在製程的各種階段會產生許多的失效問題，因此定位失效的位置成為了其中加速品質穩定、產品良率以及信賴度的重要關鍵。 此外，解決問題的技巧和信息分類也是工程師的重要能力之一，遇見問題時能有效地將問題分門別類，再以最快及最有效率的方式來解決問題。 本論文內容包括相關信息和當前流行的故障分析技術，它還將提供三個關於真實經歷的案例研究，以及包含各種實例，在未來可幫助其他人解決類似的問題。這些知識和經驗對公司來說非常重要的資產，因為它可以在不同系統上的重複發生相似故障時，節省大量時間和精力。
VLSI漏電區域的定位與解析
為了解決InGaAs OBIRCH 的問題，作者穆劍龍 這樣論述：
在本篇論文中，主要的研究是利用電源供應器搭配高頻方波給電方式，排除不需要的訊號，原理係以傅立葉轉換(Fourier Transform)將電訊號導入時域(Time Domain)轉換成頻域(Frequency Domain)，達成高率波效果，搭配Thermal analysis定位出VLSI漏電區域，以找出未知錯誤造成IC異常的特徵[1]。問題發生於第三方電路設計公司的電路(IP)，因為無法提供正確問題方向，僅能以失效分析的方式進行問題剖析，層層逼近異常原因進而解決問題。首先，我們利用InGaAs微光顯微鏡電性分析技術，以電子電洞對re-combination放出微光的特徵，來確認元件是否有
漏電行為，以及OBIRCH(Optical Beam Induced Resistance CHange)技術，以雷射掃描待測物表面，材料吸收熱能後，產生阻值變化，利用不同材質擁有不同熱阻係數的原理進行分析，判斷是否有大電流產生；以上兩種電性分析方法，均需要正常品與異常品的結果做參考比對，才有辦法判斷出是否為真正異常，例如：某些元件經InGaAs微光顯微鏡分析後，仍會亮起，此時便需要有正常品並給予同樣條件產生的現象，以及是否符合RD的設計，來判斷亮點的正確性；以目前所有產品均為失效的狀態來說，是難以判斷的。因此，為了找出該產品問題所在，我們使用了將傅立葉轉換應用於電源供應並搭配thermal
analysis，可不用到好壞品比對來判斷出異常狀態，本論文中將提出一種非常有效且易懂的方法去完成漏電流區域及途徑的定位。