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考量堆疊記憶體單元強度變異之刷新方法及自我修復技術整合

為了解決ddr3l記憶體的問題，作者陳建愷 這樣論述：

動態隨機存取記憶體在資料的保存上需要週期性的執行刷新，當執行刷新的週期越短，會增加更多的刷新耗能和延遲記憶體存取的時間。為增強性能將記憶體堆疊，並以TSVs (Through-Silicon Vias)貫穿多層記憶體，當作資料傳輸的通道，進而提高了資料頻寬也降低了延遲，但是因為高密度的堆疊所以散熱不佳，導致容易產生因高溫而降低了資料保存的時間，這些低強度記憶單元(weak cell)會讓記憶體的刷新耗能變高。堆疊記憶體為了提高良率，BISR (Built-in self-repair) 的技術相當重要，BISR可以讓記憶體自我測試且利用備用元件來修復故障的單元，當修復結束後，會有未使用的備用

元件，本論文希望利用這些備用元件來修復weak cell，並且配合整合型記憶體刷新技術(Integrate Refresh) [1]來降低記憶體的刷新耗能。整合型記憶體刷新技術會根據weak cell的分布，對不同的列群進行不同的刷新方法。但是三維記憶體會因為升溫產生新的weak cell且會改變其分佈。本論文將整合型記憶體刷新技術應用在三維記憶體。實驗結果顯示，我們的方法可以降低記憶體的刷新耗能，但是效果會隨著weak cell數量增多而降低。我們也針對因為升溫而產生的weak cell進行修復，當只修復升溫導致的weak cell時會比考量所有階段的方法，產生的刷新耗能來得低。