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國立清華大學 工程與系統科學系 葉宗洸、王美雅所指導 施湘鈴的 水化學控制對於壓水式反應器一次側水環境 600合金與316L不銹鋼的應力腐蝕龜裂影響之研究 （2021），提出laser principle pdf關鍵因素是什麼，來自於應力腐蝕龜裂、鎳基600合金、316L不銹鋼、慢應變速率拉伸試驗、硼/鋰濃度、溶氫量。
而第二篇論文國立陽明交通大學 電機工程學系 邱俊城所指導 楊自森的 以開關模式DC-DC轉換器技術低功耗微型加熱器模塊的設計與實現 （2021），提出因為有 微加熱器、開關式電源轉換技術、數位類比轉換器、類比數位轉換器的重點而找出了 laser principle pdf的解答。
水化學控制對於壓水式反應器一次側水環境 600合金與316L不銹鋼的應力腐蝕龜裂影響之研究
為了解決laser principle pdf 的問題，作者施湘鈴 這樣論述：
鎳基合金600 (Alloy 600)與沃斯田鐵不銹鋼316L (SS 316L)為壓水式反應器(Pressurized Water Reactor, PWR)常見的結構組件材料，然而在電廠長期運轉下，結構組件腐蝕劣化問題層出不窮，如一次側冷卻水應力腐蝕龜裂(Primary Water Stress Corrosion Cracking, PWSCC)。為減緩腐蝕問題，各國電廠對於PWR進行了適當的水化學調控，如添加氫氣、控制pH值、硼酸濃度與氫氧化鋰濃度等。添加氫氣用以降低水環境因輻射分解反應而提高的氧化性，並減緩組件材料劣化，然而在目前EPRI規範的溶氫濃度25-50 cc⁄kg H2O
與運轉溫度320-360℃下，仍有PWSCC發生，因此各國核電廠考慮調整溶氫濃度至5 cc/kg H2O以下，或75 cc/kg H2O以上。此外，於水迴路中添加硼酸以控制中子反應度，添加氫氧化鋰則用於平衡水環境的pH值。但隨著燃料週期的燃耗，硼濃度逐漸下降，氫氧化鋰濃度也需有所調整。藉由溶氫(dissolved hydrogen, DH)濃度與pH值的調控，可使材料避開Ni/NiO的相轉換點，進而減緩PWSCC發生。因此本研究將探討燃料週期初期(Beginning of Cycle, BOC)與末期(End of Cycle, EOC)水環境在溶氫濃度降低至5 cc/kg H2O的條件下，對
於Alloy 600與SS 316L所造成的影響。本研究透過模擬PWR一次側水環境，對於Alloy 600與SS 316L進行慢應變速率拉伸試驗(Slow Strain Rate Test, SSRT)。實驗先將Alloy 600與SS 316L試棒進行固溶退火熱處理(SA)後，再分別進行單一階段時效處理(TT)與敏化熱處理(SEN)並預長氧化膜。而後模擬燃料週期初期與末期，在320℃與溶氫濃度為5 cc/kg H2O的水環境下進行SSRT試驗，分析材料應力腐蝕龜裂(Stress Corrosion Cracking, SCC)行為，並對於試棒破斷面與表面氧化膜形貌進行觀察與分析。實驗結果顯示
，對於Alloy 600而言，TT試棒在1200 ppm B + 3.5 ppm Li溶氫條件下展現最差的機械性質，但無論是除氧或溶氫環境，Alloy 600都表現出較低的SCC敏感性。而SS 316L SEN試棒在300 ppm B + 1 ppm Li溶氫條件下的最大抗拉強度(Ultimate Tensile Strength, UTS)與降伏強度(Yield Strength, YS)表現最差，然而實驗結果顯示溶氫可有效降低SEN試棒的SCC敏感性。Alloy 600表面氧化膜主要由尖晶石氧化物(spinel oxide) NiFe2O4、Cr2O3與NiO所構成，SS 316L的表面氧
化膜則以α-Fe2O3、γ-Fe2O3、尖晶石氧化物NiFe2O4與Fe3O4為主。
以開關模式DC-DC轉換器技術低功耗微型加熱器模塊的設計與實現
為了解決laser principle pdf 的問題，作者楊自森 這樣論述：
本論文提出並設計出一個低功耗微加熱器模組，此模組主要四個部份: 微加熱器、驅動電路、數位類比轉換器和類比數位轉換器。在物聯網應用中的感測節點上，大部份都已經走向低消耗, 這裡包有 MCU and 無線通訊部份，而微加熱器部份一直被忽略掉。微加熱器之應用非常廣泛，從環境監測、工業上的加工與測量到醫學上分析等等都可以運用到，因此建立一個低功耗之微加熱器模組是有其必要性的。在本論文中，微加熱器在低成本的BULK CMOS製程上實現，由測試驗證結果顯示, 熱均勻性及可靠度都表現優異。有別於傳統微加熱器驅動方法，改以開關式電源轉換技術作為微加熱驅動，在寬溫度範圍輸出下仍然維持很高的電能轉換熱能效率。數
位類比轉換器部份採用常在音頻技術中出現三階三角積分 current steering架構，最終達到低功耗且高解析度目的 SNDR 大於80dB,功耗 小於 500uA 這裡包裝了內部振盪器及帶隙參考電壓。類比數位轉換器部份採用常被用於傳感器量測之二階三角積分調變技術，利用行為模型先分析出SDM 中每一個部份的參數才能達到低功耗且高解析度目的，最終測試結果 SNDR 大於 80dB, 功耗 小於 410uA。運用本論文所提微加熱器模組應用於氣體感測，用poly silicon 作為感測電極，與微加熱器在Bulk CMOS 製程下實現，在CMOS 製程結束後, 進行wafer磨薄、背向蝕刻、沉積S
NO2 及燒結，最後進行了酒精氣體測試。證明了本文之提案可行性,有利於微加器在 IoT 及相關應用之發展。